正所谓十里花开遍地香......额....（忘词了）..

好吧，正所谓带你装逼带你飞，带你杵进垃圾堆。

继续上一篇讲cpu，今天我们来扯一扯cpu集成电路工艺制造。

简单来说就是更先进的工艺能够提升单位面积下晶体管的数量，提升晶体管的性能，从而实现提升芯片的整体性能。同时通过更先进的制程工艺能够达到降低漏电率降低功耗减少发热的效果。总而言之就是更先进的制程能在同样的功耗下达到更高的性能，在同等的性能条件下有着更好的功耗控制。

以（三星）14nm FinFET LPP工艺举例，首先拆开来看，14nm是什么意思？纳米呢就是单位嘛，一毫米等于一百万纳米......行了，本期就说这么多，大家可以退出了。

说了结束了，你还看？

14nm处理器的意思呢就是说“采用14nm制程。”制程工艺又是指IC内电路与电路之间的距离。制程工艺的趋势是向密集度越来越高的方向发展。密度越高的IC电路设计，意味着在同样大小面积的IC中，可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。（废话....）微电子技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进，使得器件的特征尺寸不断缩小，从而集成度不断提高，功耗降低，器件性能得到提高。芯片制造工艺在1995年以后，从0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、90纳米、65纳米、45纳米、32纳米、22纳米一直发展到目前最新的14纳米（厉害吧）。

而FinFET呢就是鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor;)FinFET是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长可以小于25奈米。这项技术的发明者是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。FinFET是一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长。

简单来说就是把原本2D构造改为3D的，因为构造很像鱼鳍，因此称为“鳍式（Fin）”。

最后的LPP就是LPE（Low-Power Early，早期低功功耗制程）的改进版，（Low-Power Plus，高级低功耗制程），从名字上就可以看出哪一带更先进啦，所以在选择手机的时候你是要选LPP呢还是LPE？

这次是真的结束了...

欢迎大家踊跃评论，骂我也行啊，我心宽着呢，但是最好还是附带一点你的建议哦。

咱们下次见。